燕東微：尊敬的投資者您好，公司于2024年制訂了回購計劃，將根據市場情況適時開展回購并及時公告。在當前激烈的市場競爭環境下，公司將繼續堅持創新為核心的發展戰略，不斷加大新品研發投入，積極開發新產品及新工藝平臺，由傳統的消費類市場向新能源、工業、汽車等新領域轉移，積極開展新項目的建設，不斷提升公司綜合競爭力。

燕東微：尊敬的投資者您好，受貿易戰影響，公司股價上周有一定跌幅，目前股價已平穩回升，公司于2024年制訂了回購計劃，將根據市場情況適時開展回購并及時公告。在當前激烈的市場競爭環境下，公司將繼續堅持創新為核心的發展戰略，不斷加大新品研發投入，積極開發新產品及新工藝平臺，由傳統的消費類市場向新能源、工業、汽車等新領域轉移，積極開展新項目的建設，不斷提升公司綜合競爭力。

燕東微：尊敬的投資者您好，公司目前尚未部署Deepseek，感謝您的關注。

燕東微：尊敬的投資者您好，在當前激烈的市場競爭環境下，燕東微將繼續堅持創新為核心的發展戰略，不斷加大新品研發投入，積極開發新產品及新工藝平臺，由傳統的消費類市場向新能源、工業、汽車等新領域轉移，不斷提升公司綜合競爭力。2024年上半年公司部分在研項目進展及階段性成果如下：（1）6英寸SiC芯片研發項目：進一步優化了產品的參數性能，多款產品產出優化后的樣品，MOSFET工藝平臺完成部分關鍵工藝優化；（2）IGBT技術升級項目：消費類溝槽型IGBT、車規級IGBT完成開發并實現批量生產；（3）溝槽分離柵MOSFET（SGT）工藝平臺開發項目：100VSGT已實現量產，目前正在結合快充應用場景對現有技術平臺進行迭代升級和拓展；（4）熱成像工藝平臺開發項目：完成熱成像工藝平臺首款產品終端驗證，實現了消費類熱成像應用；（5）12英寸硅光SOI工藝平臺開發項目：完成版圖設計，開展工藝驗證，已完成核心工藝技術復雜圖形光刻工藝、低側壁粗糙度刻蝕工藝驗證；（6）磁耦合數字隔離器開發項目：完成電感隔離結構電路設計、版圖設計，完成MPW流片，電路功能正常；（7）硅高頻功率MOS場效應晶體管的系列化研發項目：2款硅高頻LDMOS產品小批量試生產；5款硅高頻LDMOS產品評測合格，通過客戶驗證；2款LDMOS新產品導入中；（8）54AC項目：新增完成1款54AC系列產品的鑒定檢驗。累計完成15款54AC系列產品鑒定檢驗；（9）高壓大功率驅動電路工藝平臺研發項目：完成一款芯片功能驗證，發布PDK0.1；（10）12英寸0.18um40V/100V工業驅動芯片工藝研發項目：確定了兩個平臺的器件清單及器件結構，完成兩個平臺初版flow制定；（11）多電壓檔超高壓BCD工藝平臺研發項目：完成不同電壓檔（5V~600V）器件結構設計、tapeout準備工作、flow流程搭建，核心工藝開發；（12）模擬開關系列研發項目：完成6款模擬開關產品鑒定檢驗，14款完成流片，評測中，9款流片中。2024年上半年實現了硅光工藝平臺產品的量產，這一里程碑式的成就標志著公司在硅光技術領域的重大突破。硅光產品憑借其集成度高、成本低、功耗低等優勢，已成功應用于光通信、光互連、激光雷達等多個關鍵領域。未來，燕東微將繼續深耕硅光芯片領域，加大科研投入，推動技術創新與產業升級，積極回報投資者。

燕東微：尊敬的投資者您好，公司二季度營業收入較一季度基本持平，由于受市場變化、部分產品價格下降及需求下滑多種因素的影響，二季度較一季度凈利潤有所下降，公司管理層積極調整現有產線產品結構，推進產品結構轉型升級，持續加大研發投入，2024年上半年研發費用11,332.63萬元，同比增長1,876.78萬元，在研發強度的推動下，公司取得了如下研發成果：（1）12英寸晶圓生產線高密度功率器件具備批量穩定量產能力，良率達到98.5%以上；（2）基于8英寸、12英寸晶圓生產線持續提升高密度功率器件溝槽圖形化工藝能力，比導通電阻性能提升10%以上，導通電阻達到業內先進水平；（3）車規級IGBT工藝平臺實現批量生產；（4）基于超高壓700VBCD工藝平臺基礎，實現22款產品規模化量產；（5）基于8英寸晶圓生產線，完成CMOS工業用電機驅動電路量產；（6）1200VSiCSBD產品完成技術迭代，功率密度達到國內先進水平；1200VSiCMOS產品完成關鍵工藝優化，導通電阻、漏電流等主要參數達到行業主流產品水平；（7）基于現有SiN硅光工藝平臺，完成5款新產品研制，轉入量產實現穩定供貨；（8）完成通用邏輯系列產品量產交付；32通道總線收發器產品通過客戶驗證；（9）完成5V/40VSOICMOS工藝平臺搭建，代表產品通過可靠性認證；（10）在射頻領域拓展方面，完成13.56MHz射頻電源千瓦級產品的研制，實現量產交付。公司在上半年實現了硅光工藝平臺產品的量產，同時在8英寸相關硅光產品方面也實現了市場化銷售，未來，燕東微將繼續深耕硅光芯片領域，加大科研投入，推動技術創新與產業升級，公司將積極拓展產品應用領域，持續擴大市場規模，提高運營效率與經營效益。

燕東微：尊敬的投資者您好，公司于2022年12月16日在上海證券交易所科創板上市，2022年收入21.75億元，歸屬于上市公司股東的凈利潤4.62億元，2023年收入21.27億元，歸屬于上市公司股東的凈利潤4.52億元，2024年1-6月收入6.17億元，歸屬于上市公司股東的凈利潤-1513萬元，2024年上半年業績下滑主要受市場變化、部分產品價格下降及需求下滑等多種因素的影響。在當前激烈的市場競爭環境下，燕東微始終堅持創新為核心的發展戰略，積極開發新產品及新工藝平臺，持續擴大市場規模，深耕硅光芯片領域，不斷加大新品研發投入，積極推動產品更新換代，實施產品結構調優，提升綜合競爭力。

燕東微：尊敬的投資者您好，在當前激烈的市場競爭環境下，燕東微將繼續堅持創新為核心的發展戰略，不斷加大新品研發投入，積極開發新產品及新工藝平臺，由傳統的消費類市場向新能源、工業、汽車等新領域轉移，不斷提升公司綜合競爭力。2024年上半年公司部分在研項目進展及階段性成果如下：（1）6英寸SiC芯片研發項目：進一步優化了產品的參數性能，多款產品產出優化后的樣品，MOSFET工藝平臺完成部分關鍵工藝優化；（2）IGBT技術升級項目：消費類溝槽型IGBT、車規級IGBT完成開發并實現批量生產；（3）溝槽分離柵MOSFET（SGT）工藝平臺開發項目：100VSGT已實現量產，目前正在結合快充應用場景對現有技術平臺進行迭代升級和拓展；（4）熱成像工藝平臺開發項目：完成熱成像工藝平臺首款產品終端驗證，實現了消費類熱成像應用；（5）12英寸硅光SOI工藝平臺開發項目：完成版圖設計，開展工藝驗證，已完成核心工藝技術復雜圖形光刻工藝、低側壁粗糙度刻蝕工藝驗證；（6）磁耦合數字隔離器開發項目：完成電感隔離結構電路設計、版圖設計，完成MPW流片，電路功能正常；（7）硅高頻功率MOS場效應晶體管的系列化研發項目：2款硅高頻LDMOS產品小批量試生產；5款硅高頻LDMOS產品評測合格，通過客戶驗證；2款LDMOS新產品導入中；（8）54AC項目：新增完成1款54AC系列產品的鑒定檢驗。累計完成15款54AC系列產品鑒定檢驗；（9）高壓大功率驅動電路工藝平臺研發項目：完成一款芯片功能驗證，發布PDK0.1；（10）12英寸0.18um40V/100V工業驅動芯片工藝研發項目：確定了兩個平臺的器件清單及器件結構，完成兩個平臺初版flow制定；（11）多電壓檔超高壓BCD工藝平臺研發項目：完成不同電壓檔（5V~600V）器件結構設計、tapeout準備工作、flow流程搭建，核心工藝開發；（12）模擬開關系列研發項目：完成6款模擬開關產品鑒定檢驗，14款完成流片，評測中，9款流片中。2024年上半年實現了硅光工藝平臺產品的量產，這一里程碑式的成就標志著公司在硅光技術領域的重大突破。硅光產品憑借其集成度高、成本低、功耗低等優勢，已成功應用于光通信、光互連、激光雷達等多個關鍵領域。未來，燕東微將繼續深耕硅光芯片領域，加大科研投入，推動技術創新與產業升級，積極回報投資者。

燕東微：尊敬的投資者您好，硅光芯片與傳統的集成電路芯片為互補關系，在各自的領域有其自身的優勢。硅光技術近些年來發展很快，在光通信、激光雷達掃描、AI大數據等領域得到了廣泛的應用，但是在純光計算、光存儲等領域尚在理論探索和原型機階段，還有很多技術難題需要攻克。在可以預見未來的一段時間內，硅光芯片與集成電路芯片將共同發展。

燕東微：尊敬的投資者您好，公司主營業務包括產品與方案和制造與服務兩大類。公司產品與方案板塊的產品包括分立器件及模擬集成電路、特種集成電路及器件。公司制造與服務板塊聚焦于提供半導體開放式晶圓制造和封裝測試服務。公司已經根據市場情況開展硅光工藝平臺建設，目前公司基于SiN硅光工藝平臺已實現關鍵突破，傳輸損耗＜0.1dB/cm，并實現一款激光雷達和一款光通信產品的量產，產品良率達95%以上；正在導入多款可應用于O-Band、C-Band不同波段下的通信類產品；SOI硅光工藝平臺完成了關鍵器件工藝開發。

燕東微：尊敬的投資者您好，公司產品主要應用于消費電子、汽車電子、新能源、電力電子、通訊和智能終端、特種等領域。公司的業務情況詳見公司年報，謝謝。