拓荊科技定增募資不超46億元 擬投建高端半導體設備產業化基地等項目
來源:證券時報網作者:李銘宇2025-09-12 20:51

9月12日晚間拓荊科技(688072)公告,公司擬定增募資不超過46億元,扣除發行費用后的募集資金凈額擬投入高端半導體設備產業化基地建設項目、前沿技術研發中心建設項目并補充流動資金。其中,高端半導體設備產業化基地建設項目系公司使用首次公開發行募集資金2.68億元投資的項目,公司擬使用本次募集資金15億元對其進行追加投資。

據披露,高端半導體設備產業化基地建設項目擬在遼寧省沈陽市渾南區新建產業化基地,包括生產潔凈間、立體庫房、測試實驗室等,并引入先進的生產配套軟硬件,打造規模化、智能化、數字化的高端半導體設備產業化基地。

項目原計劃投資總額11億元,公司已取得本項目的土地使用權證、用地規劃許可證和工程規劃許可證,并簽訂總包施工合同,正在履行相關政府部門備案手續。公司根據實際需求,擬將項目投資總額由11億元增加至17.68億元,并計劃將原擬由自籌資金投入的8.32億元(截至本預案公告日尚未投入)調整為由本次募集資金進行投入。

拓荊科技表示,近年來,受益于下游市場需求旺盛,憑借在半導體薄膜沉積設備領域強大的技術實力,公司業務規模呈現快速增長趨勢,產能利用率處于較高水平。2022年、2023年和2024年,公司分別實現營業收入17.06億元、27.05億元、41.03億元,年復合增長率達到55.08%。未來,隨著市場需求的不斷增長、芯片工藝的持續迭代與國產化率的不斷提升,公司目前的產能預計無法滿足未來客戶的訂單需求。

本次項目的實施將大幅提升公司高端半導體設備產能,支撐公司PECVD、SACVD、HDPCVD等薄膜沉積設備系列產品的產業化能力,并通過智能化配套設施建設,提升生產效率,以充分滿足下游市場及客戶需求,擴大公司業務規模,從而進一步提升公司競爭能力和市場地位。

此外據披露,前沿技術研發中心建設項目擬開展多款先進薄膜沉積設備的研發,包括PECVD、ALD、溝槽填充CVD等工藝設備,并逐步突破其中的前沿核心技術,進而形成一系列具有自主知識產權、面向前沿技術領域應用的先進薄膜沉積設備產品,同時,持續進行PECVD、ALD、溝槽填充CVD等產品的優化升級,不斷提升產品性能,滿足先進工藝的迭代需求,此外,本項目將進行新一代自動化控制系統和控制軟件架構開發,通過智能算法、優化數據處理等方式,促進設備性能的提升和自主創新性,進一步強化上市公司薄膜沉積設備的市場競爭力。

本項目實施主體為拓荊創益及拓荊上海,擬投資總額20.01億元,其中擬使用本次募集資金20億元。

拓荊科技稱,本項目將從設備的硬件創新設計、控制系統及軟件開發、高性能薄膜工藝開發為核心切入點,對多種新型高端薄膜沉積設備進行研發、產線驗證及優化,實現前沿核心技術的逐步突破,助力半導體產業鏈生態的整體國產化轉型,提升國內半導體供應鏈的安全自主水平。

本次定增中,拓荊科技還擬使用募集資金11億元用于公司及全資子公司補充流動資金。

拓荊科技表示,公司所處行業為資本密集型行業,需要在生產、研發及日常運營活動中進行大量而持續的資金投入。近年來,公司業務規模逐漸擴大,產品市場需求及訂單保持良好增長態勢,最近三年營業收入復合增長率達到55.08%。

與此同時,公司在原材料采購、人員薪酬、研發支出等資金支出項目及存貨、應收賬款等經營性項目的資金占用項目亦隨著收入快速增長而相應增加,僅依靠公司內部積累已經較難滿足業務快速發展對資金的需求。因此,公司需要補充并維持一定規模的營運資金以支撐未來經營規模的快速擴張。本次向特定對象發行股票募集資金補充流動資金,有利于緩解公司未來的營運資金壓力,進一步優化公司的財務結構,降低公司的資產負債率和財務風險,保障公司業務規模的拓展和業務發展規劃的順利實施,促進公司的健康可持續發展。

責任編輯: 趙黎昀
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