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2025-08-15 16:10
irm1347477：恭喜公司順利復產，請問公司停產期間，是否將晶體乙醛酸庫存處理完畢？做到輕裝上陣？
國林科技：尊敬的投資者，您好。具體經營情況請您關注公司定期報告。感謝您的關注。
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2025-08-15 16:04
irm1347477：公司在2024年報中提到公司的半導體設備已經在國內晶圓芯片終端（fab）廠正式投入使用，請問是否屬實？是國內頭部的fab廠嗎？
國林科技：尊敬的投資者，您好。公司相關情況請您以公司于指定信息披露媒體刊登的公告為準。感謝您的關注。
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2025-08-15 15:55
irm1347477：相比傳統等離子蝕刻，臭氧蝕刻對基材損傷更小，適用于高精度圖形化工藝。減少熱應力，避免第三代半導體材料（如碳化硅）因高溫導致的晶格缺陷。公司到底有沒有蝕刻工藝的臭氧設備？能否用于第三代半導體制造？
國林科技：尊敬的投資者，您好。公司現有半導體專用臭氧系統設備可以應用于蝕刻工藝、第三代半導體生產工藝。感謝您的關注。
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2025-08-15 15:55
irm1347477：美國mks官網上顯示其最先進的半導體臭氧發生器產生的臭氧純度為99.9995％，即6N水準。該產品已用于臺積電3nm芯片生產線。請問公司的同類型半導體臭氧發生器的臭氧純度為多少？是多少N的水準？能否達到同樣3nm芯片生產的要求？
國林科技：尊敬的投資者，您好。純度指的是濃度，用mg/L單位來表示，99.9995%屬于描述不符。感謝您的關注。
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2025-08-15 15:55
irm1347477：pcn印刷電路板，在焊接、組裝等工藝后，表面可能會殘留助焊劑、油污等。臭氧可以快速有效清洗這些污物。請問公司的臭氧設備能否滿足pcb印刷電路板的清洗？
國林科技：尊敬的投資者，您好。國林半導體現有產品具備廣泛的應用適應性，能夠滿足各類場合中臭氧清洗的需求。感謝您的關注。
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2025-08-15 15:55
irm1347477：某國內半導體臭氧設備廠商宣稱其設備產生的超純臭氧氣體純度達99.9995%，即5N水準。請問公司的臭氧設備能產生的半導體級超純臭氧氣體純度為多少？二氧化碳設備產生的半導體級二氧化碳氣體純度為多少？
國林科技：尊敬的投資者，您好。純度指的是濃度，用mg/L單位來表示。99.9995%屬于描述不符。感謝您的關注。
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2025-08-15 15:54
irm1347477：目前臭氧水清洗成為3nm以下先進制程的優選方案。目前國際東京電子（TEL）實驗顯示，臭氧水對EUV 光刻膠的去除率比硫酸﹣雙氧水混合液(SPM）高20%，且無硫殘留。臺積電在3nm制程中采用臭氧水預處理，使晶圓缺陷密度降低15%。ASML的混合工藝：臭氧水+兆聲波（Megasonic）協同清洗，減少物理損傷。請問公司是否了解上述行業發展？公司能否介紹一下臭氧水在3nm以下制程的優勢？
國林科技：尊敬的投資者，您好。臭氧水在3nm及以下先進制程中的優勢主要體現在其高氧化性、清潔效率和環保特性上，能夠滿足半導體制造對精度、缺陷控制和材料兼容性的嚴苛要求。感謝您的關注。
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2025-08-15 15:54
irm1347477：公司正在開發紫外-臭氧聯用設備，可分解光刻膠顯影后的有機殘留物，清洗效率比傳統工藝提升40%。以及正在研發EUV光刻膠生產用的高純度臭氧氣體純化系統，金屬雜質含量<0.1ppt。以上信息是否屬實？
國林科技：尊敬的投資者，您好。公司現有半導體專用臭氧系統設備可以滿足工藝應用，具體產品研發情況請您以公司于指定信息披露媒體刊登的公告為準。感謝您的關注。
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2025-08-15 15:54
irm1347477：公司半導體設備產生的半導體級氣體（臭氧、二氧化碳、氨氣）能達到多少N的純度？
國林科技：尊敬的投資者，您好。半導體設備產生的半導體級氣體（臭氧、二氧化碳、氨氣）無法用純度標定，只能以潔凈度或者濃度指標參數來描述。感謝您的關注。
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2025-08-15 15:54
irm1347477：目前國內商業航天發射進入高頻期，經查閱資料，發現火箭試車及發射時，會產生大量的助推劑廢水需要處理。請問目前，公司的臭氧法處理火箭助推劑，是比較好的選擇嗎？其優點在哪？目前公司的火箭客戶還在使用公司的產品技術嗎？
國林科技：尊敬的投資者，您好?；鸺囓嚰鞍l射過程中會產生大量廢水，這類廢水具有劇毒、成分復雜、致癌性強等特點，利用臭氧的強氧化性，可將水體中的大分子有機物氧化為小分子有機物，增強有機物的可生物降解性，提高處理工藝凈化效率。臭氧氧化技術因其獨特的優勢，已成為處理火箭推進劑廢水的重要方法之一。感謝您的關注。
