云南鍺業(002428)11月6日晚間公告，同意控股子公司云南鑫耀半導體材料有限公司（以下簡稱“云南鑫耀”）與自然人劉廣政共同出資5000萬元設立湖北鑫耀半導體材料科技有限公司（簡稱“湖北鑫耀”），并同意以控股孫公司湖北鑫耀為主體實施“高品質砷化鎵晶片建設項目”。

本項目實際上以搬遷作為主體，云南鍺業計劃在湖北省黃岡市高新技術產業園區下屬化工園區新建廠房，新增主要工藝設備及公輔設施，以及將現有砷化鎵晶片生產線整體搬遷至新廠，最終建成年產70萬片6英寸高品質砷化鎵晶片生產線、配套年產3萬套半導體級4—6英寸石英管生產線，以及依托項目的公輔設施，建設產品研發中心。項目總投資2.72億元，項目建設期18個月。

與之對應的是，在對湖北鑫耀的出資中，云南鍺業將有3240.60萬元的出資由機器設備形式完成，對應云南鑫耀現有的砷化鎵生產線378臺機器設備。此外，云南鍺業還計劃以貨幣資金出資1259.40萬元，劉廣政以貨幣資金形式認繳出資500萬元。最終，云南鑫耀、劉廣政在湖北鑫耀的各自持股比例分別為90%、10%。

云南鍺業介紹，本項目的合作人劉廣政是中國科學院半導體研究所材料物理與化學工學博士，高級職稱，長期從事于半導體材料與器件以及核心制造裝備的學習、研究、生產及管理，專業知識扎實，經驗豐富，并在多個半導體相關產品的開發和產業化推動方面有成功案例。記者通過企查查查詢，未獲得劉廣政在產業方面的布局。

云南鍺業為何實施本次搬遷？當前產能不充分的應用狀況或是原因之一。

根據云南鍺業此前曾披露，截至2024年底公司已經形成砷化鎵晶片產能為80萬片/年（2—6英寸），當年公司生產砷化鎵晶片8.75萬片（1—6寸合計），公司計劃在2025年生產砷化鎵晶片20萬片（3—6寸）。

云南鍺業表示，通過本項目的實施公司將產業發展前沿向市場需求更為集中、技術支持及產業配套更加完善的地區逐步轉移，有利于進一步增強企業的核心競爭力、盈利能力以及研發能力，實現公司化合物半導體材料產業的高質量發展。

砷化鎵（GaAs）作為第二代半導體襯底材料的代表，是繼硅（Si）材料之后最重要的微電子材料之一。由于砷化鎵具有本征載流子濃度低、光電特性好、電子遷移率高等特點，容易制成射頻器件和光電子器件。近年來，由于在LED、半導體激光管和光電探測器等光電器件的可用性，砷化鎵的需求量正在提升。

光電子信息產業是湖北省省會武漢市的五大優勢產業之首，2024年產業規模已達7566億元，正向首個萬億級產業集群邁進。湖北省方面近期表示，要聚焦信息光電子、能量光電子、生命光電子等重點領域，更大力度加強基礎研究和前沿探索，努力產出更多標志性原創成果，更大力度依靠創新驅動塑造光電子信息領域先發優勢，培育更多引領型發展。

云南鍺業方面強調，公司擬通過本次項目投資，緊抓產業發展機遇，進一步擴大產能，提高工藝技術水平，加大關鍵核心技術的研發及成果轉化，推動設備優化升級，以滿足新興市場需求。