近日，中微公司(688012)宣布其刻蝕設(shè)備系列迎來又一里程碑：Primo Menova?12寸金屬刻蝕設(shè)備全球首臺機順利付運國內(nèi)一家重要集成電路研發(fā)設(shè)計及制造服務(wù)商。

中微公司資深副總裁叢海表示：“中微公司開發(fā)的一系列刻蝕設(shè)備在性能、穩(wěn)定性等方面滿足了客戶的高標(biāo)準要求，并可覆蓋國內(nèi)大多數(shù)的刻蝕應(yīng)用需求。中微公司持續(xù)踐行‘五個十大’的企業(yè)文化，將產(chǎn)品開發(fā)的十大原則始終貫穿于產(chǎn)品開發(fā)、設(shè)計和制造的全過程，秉持為達到設(shè)備高性能和客戶嚴格要求而開發(fā)的理念，堅持技術(shù)創(chuàng)新、設(shè)備差異化和知識產(chǎn)權(quán)保護。隨著新應(yīng)用的進一步拓展，我們將繼續(xù)推進與客戶的密切合作交流，通過技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新，不斷為客戶提供極具競爭力的產(chǎn)品和解決方案，實現(xiàn)穩(wěn)步發(fā)展與深度共贏?！?/p>

據(jù)介紹，中微公司的12英寸ICP單腔刻蝕設(shè)備Primo Menova?專注于金屬刻蝕，尤其擅長于金屬Al線、Al塊的刻蝕，可廣泛應(yīng)用于功率半導(dǎo)體、存儲器件和先進邏輯芯片的制造，是晶圓廠金屬化工藝主要設(shè)備之一。Primo Menova?基于中微量產(chǎn)的ICP刻蝕產(chǎn)品Primo Nanova?研發(fā)制造，秉承了優(yōu)異的刻蝕均一性控制，可達到高速率、高選擇比及低底層介質(zhì)損傷等刻蝕性能。Primo Menova?搭配高效率腔體清潔工藝，可減少腔室污染，延長腔體持續(xù)運行時間。并且，Primo Menova?系統(tǒng)還集成了配備高溫水蒸氣的除膠腔室(strip chamber)，高效去除金屬刻蝕后晶圓表面殘留光刻膠及副產(chǎn)物。Primo Menova?和除膠腔體可根據(jù)客戶工藝需求靈活搭配，最大程度滿足客戶高生產(chǎn)效率的要求，確保機臺在高負荷生產(chǎn)中的穩(wěn)定性與良率。

定期報告顯示，中微公司的等離子體刻蝕設(shè)備已應(yīng)用在國際一線客戶從65納米到14納米、7納米和5納米及其他先進的集成電路加工制造生產(chǎn)線及先進存儲、先進封裝生產(chǎn)線。公司的CCP電容性高能等離子體刻蝕機和ICP電感性低能等離子體刻蝕機可覆蓋國內(nèi)95%以上的刻蝕應(yīng)用需求，在性能優(yōu)秀、穩(wěn)定性高等方面滿足了客戶先進制程中各類嚴苛要求。截至2024年年底，公司累計已有超過6000臺等離子體刻蝕和化學(xué)薄膜設(shè)備的反應(yīng)臺，在國內(nèi)外137條生產(chǎn)線實現(xiàn)量產(chǎn)和大規(guī)模重復(fù)性銷售。

研發(fā)方面，根據(jù)市場及客戶需求，公司顯著加大研發(fā)力度，目前在研項目涵蓋六大類、超過二十款新設(shè)備的開發(fā)。2024年公司研發(fā)總投入達到24.5億元，比2023年增加了94.3%，占營業(yè)收入比例約為27%，遠高于科創(chuàng)板上市公司平均研發(fā)投入占收入比例的10%到15%。

另外，公司研發(fā)新產(chǎn)品的速度顯著加快。在5月27日的2025年第一季度業(yè)績說明會上，中微公司董事長、總經(jīng)理尹志堯談及當(dāng)前新產(chǎn)品研發(fā)效率時闡述：“經(jīng)過20多年的努力，公司已組建了超過千人的研發(fā)團隊，并且十分全面。十年前，我們一般需要三到五年來開發(fā)一個新產(chǎn)品，然后再花兩年時間進入市場。比如，MOCVD是從2010年開始研發(fā)，2017年才進入市場。從最新產(chǎn)品信息來看，現(xiàn)在我們只需要大約18個月，最多兩年就能完成新品研發(fā)，半年到一年就可以量產(chǎn)并進入市場。隨著速度加快，公司研發(fā)產(chǎn)品的數(shù)量亦在增加。”